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晶元等離子體處理系統GX-H80裝置的組成：
等離子體表面處理裝置由反應腔體（又稱真空腔體）、真空系統、等離子體發生系統、電控系統、進氣流量控制系統等組成。
考慮到生產操作的簡便和效率，被處理材料的邊料節約以及該處理裝置的性價比，本裝置擬考慮采用水平式放置結構。反應腔由真空室、平板式電極組成，是等離子體（Plasma）處理反應的有效空間，待處理物品水平置于反應腔內并可以設計成多層結構便于大批量作業；真空系統由真空閥門、真空泵以及真空管路、真空系統控制執行元件等組成，負責將反應腔內的空氣抽至預先的設定值并在工作時維持相應的真空度；考慮到本裝置被處理材料要求清潔和活化作用，故本裝置的等離子體發生源擬采用波形經過特殊處理的、具有高速震蕩功能的等離子體發生源，該系統源為反應腔提供等離子體能量，以激發反應腔內的被反應氣體急劇震蕩電離，形成所需要的具有清潔能力的等離子體（Plasma）；電控系統的作用是按照預設的工藝參數和步驟，智能最優自動控制該裝置的工藝流程的全過程，并能自整定維持工藝參數的穩定性；工藝反應氣體進氣流量控制系統主要由質量流量計和自控電磁閥門組成，其作用是精確控制反應氣體的進氣量，并維持工作期間所需要的真空度值。
晶元等離子體處理系統GX-H80采用PLC可編程式控制，人機對話采用觸摸屏設置和顯示，界面友好，處理參數可以在觸摸屏上任意設定，具有手動/自動切換功能。自動操作采用“一鍵式”，工作過程完全由計算機自動控制完成。手動操作由用戶在手動模式界面上自行完成。
晶元等離子體處理系統GX-H80主要技術參數： | |
整機外形尺寸 | 660mm×950mm×1700mm（W×D×H） |
真空腔體尺寸 | 450mm×450mm×400mm（W×D×H） |
真空腔體容積 | 80L |
水準電極尺寸 | 內置平板式電極，420×310mm（W×D） |
可載物層數 | 6層 |
等離子發生生系統 | 射頻等離子源（13.56MHZ） 功率，0-500W |
控制系統 | 觸摸屏+PLC全自動控制 |
進氣系統 | 2路進氣、1路放空 |
所有設備均可進行非標定制，其他參數，涉及到公司內部機密，請您來電咨詢。
